韓国Samsung Electronicsは現地時間2009年2月3日，40nm級の製造プロセス・ルールを適用した1GビットDDR2 DRAMチップと1GバイトDDR2 SODIMM型メモリー・モジュールを発表した。すでに米Intelのノート・パソコン向けチップセット「Mobile Intel GM45 Express」対応品として「Intel Platform Validation」認定を取得している。
40nmプロセスに移行することで，従来の50nmプロセスに比べ，生産性を約60％向上させ，消費電力を約30％低減できる。また，製品開発に要する期間を50％短縮し，1年で市場投入が可能になったとしている。
同社は2009年中に，量産用の2GビットDDR3 DRAMに40nmプロセス技術を適用する予定。また，DDR4 DRAMへの適用にも取り組む。
http://itpro.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20090205/324214/
韓国のSamsungが40nmの1GBitのDDR2を開発したとのこと。
数日前にもSamsungが4GBitのDDR3を開発していましたが、最近は景気後退でメモリの開発が遅れると言われていますが、とりあえずは順調のようですね。