Samsung,40nm級の1GビットDDR2 DRAMを開発


韓国Samsung Electronicsは現地時間2009年2月3日,40nm級の製造プロセス・ルールを適用した1GビットDDR2 DRAMチップと1GバイトDDR2 SODIMM型メモリー・モジュールを発表した。すでに米Intelのノート・パソコン向けチップセット「Mobile Intel GM45 Express」対応品として「Intel Platform Validation」認定を取得している。

40nmプロセスに移行することで,従来の50nmプロセスに比べ,生産性を約60%向上させ,消費電力を約30%低減できる。また,製品開発に要する期間を50%短縮し,1年で市場投入が可能になったとしている。

同社は2009年中に,量産用の2GビットDDR3 DRAMに40nmプロセス技術を適用する予定。また,DDR4 DRAMへの適用にも取り組む。

http://itpro.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20090205/324214/

韓国のSamsungが40nmの1GBitのDDR2を開発したとのこと。

数日前にもSamsungが4GBitのDDR3を開発していましたが、最近は景気後退でメモリの開発が遅れると言われていますが、とりあえずは順調のようですね。
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